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  DRAM内存市场，韩美三巨头瓜分了全球95%的份额；NAND闪存市场，韩美日五巨头垄断超90%市场。

  咱们中国，是全球最大的工业国，拥有最大规模的电子产业链，最大的消费市场。

  十年前的2016年，中国芯片进口就高达2271亿美元，超过了石油进口的1166亿美元，跃升为最大进口商品。

  手机、电脑、服务器，整个IT产业链的底座都被捏在海外巨头手中，一旦被封锁断供，后果不堪设想。

  其实当时，还有一些别的企业同时进场了，譬如福建晋华，但它们最终没能扛过来。

  很多人没办法理解，为什么存储芯片国产化，比造手机、造屏幕、造普通芯片难上百倍。

  它是极致精密的材料科学、极致稳定的工艺控制、数百万项底层专利壁垒、高度封闭的设备供应链共同构筑的工业堡垒。

  在DRAM和传统2D NAND领域，三星、美光、SK海力士、铠侠，这些海外巨头通过数十年的研发，积累了数百万项基础专利。

  任何一家新入局企业，只要敢走传统技术路线，要么侵权败诉、巨额赔款，要么直接被赶出市场。

  存储芯片制造，高度依赖刻蚀机、薄膜沉积、离子注入、检测量测等半导体设备。

  而在2016年国产存储起步之初，全球高端存储设备，几乎100%被美日企业垄断。

  存储芯片是超级经验学科，良率调试、工艺迭代、缺陷修复，全部依赖数十年产业积累的资深工程师。

  过去，海外存储巨头均签订严格竞业协议、用高薪锁死核心人才，另加严禁技术人员流向中国。

  过去十年，存储芯片经历了两轮大熊市，尤其是2022-2024年，最大跌幅超过60%。

  结果就是，长江存储和长鑫存储在这三年里，合计亏损超过了500亿元，一度陷入资金链极度紧张的境地中，几乎被绞杀。

  但在国家的支持下，他们最终挺过来了，并一步步壮大、崛起，成为中国存储赛道上最强大的两支生力军。

  长鑫专注DRAM芯片，这是存储行业门槛最高、专利最密、巨头掌控最严的赛道。

  相比于逻辑芯片，DRAM对工艺稳定性、漏电控制、一致性良率要求更高，稍有偏差就是整片晶圆报废。

  这条路，会直接撞上海外的数万项基础专利围墙，起步就是侵权，永远陷于诉讼的汪洋大海之中，最终被淹死。

  从零起步的话，研发周期将长达十年以上、需要千亿级投入，很可能在行业快速迭代的节奏中，尚未成型就被时代淘汰了。

  他们趁着西方巨头们还只有少数重视，通过收购的方式获得了一批专利资产，既规避了专利雷区，又能迅速跳代切入主流制程。

  奇梦达，是上一轮价格战中倒下的全球顶级DRAM巨头，拥有正统的DRAM底层架构、完整的工艺体系、两万余项核心专利、2.8TB工程技术文档。

  2015年前后，他想切入做DRAM芯片，但发现韩美三巨头的专利墙太厚了，自研肯定绕不开。

  奇梦达是前全球第二大DRAM厂，技术积累深厚，但在2009年金融风暴中倒下。

  朱一明在存储芯片行业浸淫了十几年，自然知道奇梦达的价值，但苦于自身资金不足。

  2016年，他接触了合肥国资，双方合资拿出180亿元，其中兆易创新出资36亿，合肥产投基金出144亿，成立长鑫存储，共同推进收购之路。

  收购完成后，长鑫迅速整合技术资料、消化核心技术逻辑，一步步在其技术体系之上，自主迭代升级。

  由此得以跳过国际巨头已经淘汰的20nm以上老旧制程，一步到位切入19nm主流工艺，与三星、海力士同场竞技。

  结果显而易见，部分高端量测设备、精密工艺设备进口受限、交付延期、售后停摆，都是常态。

  海外设备厂商一旦接到禁令，很快就会停止提供核心调试服务、禁止更新高端固件、严禁协助优化先进制程良率。

  温度、气压、流速、光刻精度、刻蚀速率、薄膜厚度、漏电控制，任何一个微米级偏差，都可能会导致整片晶圆报废。

  工程样片反复流片、反复失败，良率波动极大，成本居高不下，外界唱空之声也不断。

  通过对数万组工艺数据的逐条拆解、上千次配方的迭代、日夜不间断的轮班调试，一点点修复缺陷、一点点拉升良率。

  2018年7月，长鑫成功产出中国大陆第一颗自主可控8Gb DDR4工程样片，改写了“中国无DRAM芯片”的空白。

  2019年9月，在西方全面技术封锁下，国产首条DDR4芯片产线正式规模化量产。

  韩美三巨头轮番发起专利排查、诉讼威胁，试图用司法手段拖垮长鑫的商业化进程，制造市场恐慌，吓退长鑫的合作客户。

  但因为长鑫提前布局了专利池，依托自有迭代专利+合法继承的西方技术体系，硬生生扛住了西方的多轮诉讼，从此合法上桌。

  2018-2019年、2022-2024年，海外巨头进行了两次大规模的降价倾销，DRAM价格断崖式下跌60%，行业进入超级寒冬。

  根据招股书的数据，长鑫2022年亏损了83.28亿元，2023年逐步扩大至亏损163.40亿元，2024年也亏损了71.45亿元。

  关键时刻，依靠合肥国资和国家大基金的多轮融资、借款、专项增资，才度过了难关。

  在最残酷的行业寒冬里，长鑫逆势打磨技术，完成了从19nm到17nm的工艺迭代，完成了DDR4到DDR5的产品升级，推出了LPDDR5移动端产品，开始研发尖端的HBM AI存储芯片。

  进入2025年，长鑫迎来历史性盈利拐点，全年净利润超过300亿元，2026年Q1更是单季度净利润330亿元。

  而这次的募资所得，预计将全部投入到产能扩张和尖端DRAM、HBM芯片的研发中。

  跟长鑫类似，在长江存储起步之前，全球3D NAND的所有专利、工艺、设备、标准，也全部被海外五巨头牢牢锁死。

  当时长江存储的CTO、首席科学家叫霍宗亮，是全球3D IC领域的技术天才。

  他是北京大学的微电子学博士，毕业后就去了三星半导体研发中心任职高级工程师，深度参与2D NAND的技术研发。

  2010年回国后，他去了中科院微电子所担任研究员、博导，进一步深入研究3D IC技术。

  2016年，长江存储创建，他就被邀请担任核心技术负责人、CTO，从零开始搭建3D NAND的研发体系。

  他顶住了业界的质疑，在2017–2019年经历了238次实验，最终研发成功了Xtacking键合技术。

  而在霍宗亮的带领下，长江存储一开始就放弃了“单片堆叠层数”的内卷，走出了一条全新的道路。

  这一下子，就绕过了西方数十万项传统架构的专利壁垒，跳出了海外巨头的专利牢笼。

  加工难度一下子就下降、芯片性能大幅度的提高、读写速度成倍增长、良率大幅拉高、成本明显降低、堆叠上限无限打开。

  2018年，Xtacking架构亮相全球闪存峰会，直接斩获全球年度最佳创新技术，一下子就震惊了整个半导体行业。

  当然，虽然长江存储一出生就掌握了业界最先进的技术，但发展路上依然伴随着最严苛的科技制裁。

  在高端制程、超高堆叠、晶圆键合、精密检测等环节，美国持续收紧设备禁令，高端设备交付延迟、核心配件断供、技术服务全面停止，全部一一出现。

  面对设备卡脖子的困境，长江存储被迫开启了极致的国产化替代、工艺攻坚的漫长苦战。

  从2018年32层3D NAND初代产品艰难量产起步，长江存储一步步完成迭代：

  2022完成232层量产，反超三星，成为全世界首个进入零售市场的200+层方案；

  截止2026年的今天，虽然SK海力士率先量产了321层更高堆叠层数的NAND芯片，但由于长江存储掌握独创的Xtacking技术，在高I/O速度、低功耗上仍然具有优势。

  在2022—2024年的存储寒冬期，NAND芯片价格一度下跌了50%，长江存储也一度亏损了200多亿元。

  但就跟长鑫一样，熬过黑暗的周期后，2025年长江存储首次实现全年规模化盈利，全球市场占有率突破10%，跻身全球六大NAND厂商之一。

  在这次IPO过后，预计长江存储将能募资300–400亿元，两年后把产能从20万片/月拉到50万片/月，同时把3D DAND从294层冲到400层，坐稳全球NAND的前三宝座。

  长鑫攻坚DRAM，解决是设备正常运行、实时运算的问题，跟AI运算的关系更大，因此在这轮AI行情中受益更大。

  但经过十年奋斗，如今国产存储自给率已大为提升，关键民用领域实现自主可控。

  两三年后，还将在AI赛道兵家必争的HBM芯片上相遇，发起新一轮向韩美巨头的冲锋。

  根据业内信息，长鑫存储将在2026年底大规模量产HBM3芯片，2027年推出升级16层堆叠的HBM3，2028年推出对标SK 海力士最先进产品的HBM4。

  而长江存储，将依托于自身先进的Xtacking技术，在2027年推出混合键合工艺的HBM3，并于2028推进大规模量产。

  天佑中华，两大中国存储企业长鑫存储与长江存储，从闪存和运行内存的不同存储赛道进击，终于让中国企业在存储产业能够追赶上来，坐到牌桌上来与巨头们准备一较高低。期待中国两大存储企业能够在这存储强周期下有充足利润，养精蓄锐战天斗地

  他们万幸是2016年收购了奇梦达，再晚一年，美国人一定会阻止这件事。这也真的是有狗屎运吧。

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